韓國晶片大廠SK海力士在美國印第安納州West Lafayette啟動高頻寬記憶體（HBM）生產基地建設，計畫投資超過40億美元，建立AI記憶體用先進封裝產線與研發（R&D）能力，並以2029年下半年在美國實現HBM量產為目標，向美國客戶供應「Made in USA」產品。
公司於2026年8月27日（當地時間）在印第安納州的普渡大學（Purdue University）Holloway體育館舉行AI記憶體先進封裝生產基地的動工儀式。此基地將承擔HBM的關鍵後段製程與測試，配合位於韓國的晶圓前段製造，形成跨國銜接的量產體系：先在韓國生產高階晶圓，後送至印第安納進行先進封裝與測試，完成後直接供應美國市場。若如期投產，這將是首度在美國境內完成後段製程並交付的HBM。
先進封裝（Advanced Packaging）屬於半導體後段關鍵技術，透過把多顆晶片整合或以垂直堆疊方式組裝，以突破微縮極限並提升系統效能與能效。隨AI算力需求飆升，HBM因能把多顆DRAM以堆疊方式結合、提供高資料吞吐與較佳功耗，而成為AI加速器與資料中心晶片的核心元件，先進封裝的重要性與日俱增。
依規劃，印第安納新廠將在2028年10月完成無塵室（cleanroom），並於2029年下半年開始量產下一代HBM。投產後，該基地預計配置約1,000名在地員工，同時帶動約7,000個直接與間接就業機會。SK海力士表示，目前已有超過100家材料、零組件與設備供應商研議赴West Lafayette設點，生態鏈擴張可望與量產節奏同步推進。
除了量產線，SK海力士也將在當地建立先進封裝研發測試平台，提供與客戶、學術界及協力夥伴共同開發新一代封裝技術、製作樣品並進行性能驗證的環境。動工當天，公司並與普渡大學簽署研發合作備忘錄（MOU），就HBM所需的系統整合與先進封裝等領域展開聯合研究。未來，合作範圍將延伸至美國中西部的高校與研究機構，以強化半導體專業人才培育與在地研發能量，並藉由生產與研發並置，形成從技術開發、驗證到量產的整合型據點。
此一投資與美國強化半導體供應鏈的政策方向相呼應，也反映AI產業成長下HBM的戰略價值。SK海力士指出，透過在地化後段製程，能提升與主要AI半導體客戶的地理貼近度，同時分散供應風險、強化彈性。美國聯邦參議員Todd Young在動工儀式上表示，該計畫不僅有助創造就業，也可強化美國的國家與經濟安全；印第安納州州長Mike Braun則認為，這將成為以先進產業帶動區域經濟的契機。
人力與交流方面，SK集團將參與由大韓商工會議所與韓美同盟財團運營的駐韓美軍退役軍人就業平台，為退役人員提供職涯機會；公司同時以產學合作擴大人才來源，藉此支撐長期量產與研發布局。
SK海力士執行長郭魯正表示，美國匯聚關鍵客戶、研究力量與產業生態，是AI創新的中心。公司將把印第安納生產基地打造成在美供應HBM的核心樞紐，並持續擴大在美投資與合作，成為當地AI產業的長期夥伴。
隨著大型AI資料中心投資持續放大，全球半導體企業加速擴充HBM產能與完善供應鏈體系，競爭愈趨激烈。相較於單純擴張既有產能，SK海力士此番在印第安納的落地，更著眼於把韓國的晶圓製造與美國的封裝與研發能力緊密連結，形成跨境整合的新型產線配置。一旦2029年如期量產，除可提高對主要AI晶片客戶的服務效率，也有望在供應鏈多元化上發揮作用。
對全球半導體產業而言，這項投資提供了一個在美建立HBM在地化後段製程與研發聯動的範式：以超過40億美元的資本投入，對接大學與在地供應商網絡，並透過約1,000名直接雇員與約7,000個就業機會的擴散，打造完整的技術—生產—人才生態。隨著先進封裝技術地位提升、HBM需求持續攀升，印第安納基地在SK海力士全球HBM版圖中的功能定位，將在2029年量產節點後更為清晰。
