韓國首爾——三星電子宣布將與荷蘭半導體設備企業ASML深化合作，聚焦下一代半導體製造技術版圖，合作重點涵蓋12吋光罩共同研發與High NA EUV（高數值孔徑極紫外線）導入。此舉旨在強化三星於記憶體與晶圓代工兩大領域的先進製程競爭力。相關消息於2026年9月8日對外公布。 三星電子表示，已參與由ASML主導的「大尺寸光罩聯盟（Large Size Mask Consortium）」，將與全球夥伴展開12吋光罩技術協作。該聯盟的目標，是在目前產線廣泛使用的6吋光罩基礎上，推進至12吋規格，並圍繞光刻設備與光罩材料、製程控制與標準制定等關鍵環節，開展聯合研究與生態建設。 光罩是將電路圖樣轉印至晶圓的核心載體，製程線寬越趨微細，圖樣的精度與穩定性越直接影響產品性能與良率。當前產業關注12吋光罩，與High NA EUV的量產前景密切相關。High NA EUV透過更高的數值孔徑，能夠呈現更細緻的線寬與更高的對比度，為日益複雜的先進節點提供可行的微縮路徑，同時有望減少多重圖形化帶來的流程疊加與變異風險。 在既有6吋光罩環境下，面對大面積電路時常需要分區曝光並進行「拼接（stitching）」，此過程對對位精度與邊界缺陷控制構成挑戰。擴大至12吋後，單次可涵蓋的有效圖樣面積提升，可相對減輕拼接帶來的限制，進一步釋放High NA EUV的製程效益，提高產能與生產效率。對於晶體管數量動輒上百億級的先進晶片而言，大尺寸光罩與High NA EUV的結合，被視為提升製造效率與成本競爭力的重要組合拳。 三星電子同時透露，將以2028年為目標，推動High NA EUV於其先進D램（DRAM）製程導入，並就此與ASML加深技術配合。若該技術順利進入量產節奏，預期可讓部分需多次重複的關鍵步驟得以簡化，藉由更精細的圖形化能力提升單位面積儲存密度與生產性，為記憶體微縮策略帶來新的槓桿。 此次合作被外界關注的另一層原因，在於雙方關係由傳統的設備供應深化為面向下一代製造技術與產業生態的共同打造。ASML是EUV與High NA EUV光刻設備的關鍵供應商；三星電子則同時經營記憶體與晶圓代工業務，具備EUV量產經驗與多樣化製程節點需求。雙方在大尺寸光罩與High NA EUV領域的協作，有望為先進製程的商業化時程增添動能。 面對AI應用普及與資料中心快速擴張，市場對高效能與大容量記憶體的需求持續攀升，製程微縮與良率管理能力遂成為競爭核心。從產業鏈觀點觀察，12吋光罩推進與High NA EUV導入，不僅攸關單一企業的製程節奏，也關聯到上游設備、材料與設計生態的協同成熟速度。三星強調，將憑藉過往在EUV量產的經驗，參與12吋光罩研發與相關生態系建立，藉此同步拉動量產條件、量測標準與製程控制方法的完善。 …